摘要：
）变化时，流经晶体管的电流也会相应变化。 在这里，溶液被用作栅极。 基板和氧化物表面之间的电压由于离子层而产生。 它与MOSFET具有相同的基本结构，是一种特殊类型的MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管） ，但金属栅极被离子敏感膜 ， 电解质溶液和参比电极代替。。...
）变化时，流经晶体管的电流也会相应变化。 在这里，溶液被用作栅极。 基板和氧化物表面之间的电压由于离子层而产生。 它与MOSFET具有相同的基本结构，是一种特殊类型的MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管） ，但金属栅极被离子敏感膜 ， 电解质溶液和参比电极代替。。
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工作区，以及发热量过大，最终导致不可逆的二次击穿。 此类故障较少出现在使用功率MOSFET制作的RCC上，因为功率MOSFET的安全工作区远大于双极型晶体管。并且功率MOSFET为电压控制型，开通/关断阈值范围窄，MOSFET。
gong zuo qu ， yi ji fa re liang guo da ， zui zhong dao zhi bu ke ni de er ci ji chuan 。 ci lei gu zhang jiao shao chu xian zai shi yong gong lv M O S F E T zhi zuo de R C C shang ， yin wei gong lv M O S F E T de an quan gong zuo qu yuan da yu shuang ji xing jing ti guan 。 bing qie gong lv M O S F E T wei dian ya kong zhi xing ， kai tong / guan duan yu zhi fan wei zhai ， M O S F E T 。
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FET）是一种在完全耗尽基底上制造，同时用为一个感应器、放大器和记忆极的FET。它可以用作图像（光子）感应器。 DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一种有两个栅极的MOSFET。 DNAFET是一种用作生物感应器的特殊FET，它通过用单链DNA分子制成的栅极去检测相配的DNA链。 FREDFET（Fast。
方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成，例如砷化镓、磷化铟、碳化硅等，它的速度比由硅制造的结型场效应管或MOSFET更快，但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右，在微波频段的通信、雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明。
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粗略地估计。尽管多数专家承认这种增长最终会到达一个尽头，然而那时集成电路能够达到的性能尚不能清楚地预测。使用传统材料金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）制成的器件可以达到6.3纳米的沟道宽度，而使用新型的碳纳米管作为栅极材料则可以获得几乎1纳米的沟道宽度。集成电路中器件高度密集，因此，其性能在。
transistor，缩写为DNAFET）是一种场效应晶体管——使用DNA分子中部分电荷形成的场效应充当 生物传感器。DNAFET的结构类似于MOSFET的结构，不同之处在于栅极结构在DNAFET中被一层固定的ssDNA（单链DNA）分子代替，该分子充当表面受体。当互补的DNA链与受体杂交时，表面。
随着计算机中央处理器（CPU）等电子部件越来越密集地包装着晶体管，晶体管逐渐缩小，变得越来越容易受到ESD的影响。 常见的静电敏感装置包括： MOSFET晶体管，用于制造集成电路（IC） CMOS IC（芯片），用MOSFET构建的集成电路。例如电脑的CPU、GPU。 TTL芯片 激光二极管 蓝色发光二极管（LED） 高精度电阻。
有重新趋於稳定，最终將发生的，就是电晶体在热失控下损毁。 功率MOSFET工作时会以温度来增加电阻，功率在这些电阻上的消耗会提升接点的温度，在正回馈的回路中进一步增加了接面温度（但是，电阻隨著温度增加有助於平衡多个平行排列的MOSFET之间的电流和免於电流扰乱的发生）。如果电晶体产生的热量超过散热。
该测量方法可以得到关于半导体掺杂，晶体缺陷之类的特性。 金属-氧化物-半导体结构是MOSFET的一部分，用来控制晶体管沟道中势垒的高低。 对于一个n通道MOSFET来说，该结构的工作特性可分为三个部分，分别与右图对应： 当施加 VGB < 0 时，在n区域的表面会形成一个p通道。。
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工作的，如果你让它们出来了（即损坏了），它们就不工作了。”气体一般具有烧焦塑料或是某些化学品的气味，并且有时还会包含黑烟或冒出火星。烟雾的颜色与过热的器件有关，不过一般是白色或者黑色。损坏部件常见于电路中的功率级部分，如电机驱动器中的功率MOSFET，IPM IGBT模块。。
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rectification）是由主动控制的电子开关取代二极管，以提昇整流效率的技术，使用的电子开关多半是功率MOSFET或双极性晶体管。一般半导体的二极体压降固定，约为0.5至1V，在工作电流范围內，压降不会隨电流有明显的变化，主动整流器的压降比较像是电阻，在低电流时的压降很小。。
镜得到，也可以在已知晶体结构和材料特性的情况下，通过计算机仿真得到，比如密度泛函理论。 LDOS可以用来分析器件具体工作原理。比如，右图是一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的LDOS随着晶体管开通和关闭的变化，该图通过计算机仿真得到。源极和漏极中清晰可见导带和禁带的分界线，以及束缚能。
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅MOSFET或FGMOS）是一种场效应晶体管，其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET） 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅（floating。
Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效电晶体。金属氧化物半导体场效电晶体依照其通道极性的不同，可分为电子占多数的N通道型与空穴占多数的P通道型，通常被称为N型金氧半场效电晶体（NMOSFET）与P型金氧半场效电晶体（PMOSFET）。 以金氧半场效电晶体（MOSFET。
output）是一种使用一对选择性地从相连负载灌电流或者拉电流的器件的电路。它常常使用一对参数相同的功率三极管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中。 推挽电路使用两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，电路工作时，两只对称的开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流，也。
电电动机的输出控制。传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种电晶体结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高电流单柵控制特性及双极性电晶体的低饱和电压的能力，在单一。
基极所接的集成电路来决定（三极管发射极接地），通过三极管集电极，使其开路而输出。而输出设备若为场效应晶体管（MOSFET），则称之为漏极开路（英语：Open Drain，俗称“OD门”），工作原理相仿。通过OC门这一装置，能够让逻辑门输出端的直接并联使用。两个OC门的并联，可以实现逻辑与的关系，称为。
工作电压低时可以产生工作电压。积体电路制造时其所有半导体元件都是同一型的，为其优点。许多积体电路中的基础逻辑方块是MOSFET，因此二极体常用MOSFET代替，但短接后有像二极体一样的特性，称为diode-wired MOSFET。图八是一个用n通道增强型MOSFET代替二极体的迪克森电荷泵。。
功率MOSFET是专门处理大功率的电压和电流的金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），也是功率半导体（英语：power semiconductor device）的一种。和其他功率半导体（例如绝缘柵双极晶体管或晶闸管）比较，功率MOSFET的优点是其切换速度快，在低电压下的高效率。功率MOSFET。
年取得硕士学位。1958年，於卡內基技术学院（卡内基梅隆大学的前身）取得博士学位。毕业后，进入IBM工作。 1968年，发明动態隨机存取记忆体（DRAM）。1970年代与1980年代，投入MOSFET的微缩方程式（scaling equations）研发。 2013年，获得日本京都赏先进技术奖。 （英文）Robert。
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