摘要：
金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种集成沟道二极管SiCMOSFET器件及制备方法“公开号CN202410554028.3,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体还有呢？
...
金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种集成沟道二极管SiCMOSFET器件及制备方法“公开号CN202410554028.3,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体还有呢？
金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种集成SBD的沟槽栅碳化硅MOSFET及制备方法“公开号CN202410623588.X,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种集成SBD的沟槽栅碳化硅MOSFET及制备方法，涉及半导体好了吧！
jin rong jie 2 0 2 4 nian 6 yue 2 1 ri xiao xi ， tian yan zha zhi shi chan quan xin xi xian shi ， yang zhou yang jie dian zi ke ji gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ yi zhong ji cheng S B D de gou cao zha tan hua gui M O S F E T ji zhi bei fang fa “ gong kai hao C N 2 0 2 4 1 0 6 2 3 5 8 8 . X , shen qing ri qi wei 2 0 2 4 nian 5 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， yi zhong ji cheng S B D de gou cao zha tan hua gui M O S F E T ji zhi bei fang fa ， she ji ban dao ti hao le ba ！
其中抛光片作为外延衬底片经外延加工后主要用于MOSFET、IGBT、双极性晶体管、FRD、SBD等功率器件、TVS保护器件、CCD、CMOS 图像传感器等光电器件、MEMS器件、功率IC等半导体产品制造，研磨片主要应用于过压/过流保护器件(如TVS)、晶闸管、功率二极管、功率三等会说。
╯０╰
金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种沟槽型SiCMOSFET及其制备方法“公开号CN202410623578.6,申请日期为2024年5月20日。专利摘要显示，一种高栅氧可靠性和低栅极电容的沟槽型SiC MOSFET及其制备方法好了吧！
╯△╰
金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法“公开号CN202410623579.0,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域神经网络。
金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法“公开号CN202410623585.6,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种保护沟槽栅氧的SiC UMOSFET器件及制备方法，涉及半导说完了。
金融界2024年6月14日消息，天眼查知识产权信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构“的专利，授权公告号CN221150008U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结后面会介绍。
金融界2024年6月14日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法“公开号CN202410623584.1,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方后面会介绍。
(｀▽′)
吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货；公司用于汽车的IGBT器件(单管)、MOSFET器件(单管)已实现大批量出货；公司应用于汽车主驱的IGBT和FRD芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售，并在进一步拓展客户和持续放量过程中。本文源自金融界AI电报
证券之星消息，根据企查查数据显示韦尔股份(603501)新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种MOSFET”，专利申请号为CN202322531169.7,授权日为2024年5月24日。专利摘要：本申请实施例提供了一种MOSFET,包括：多个间隔设置的沟槽，所述沟槽中设置有栅极接触孔，多个所述说完了。
发表评论