半导体包括哪些,半导体包括哪些元器件

摘要：金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及制造其的方法“授权公告号CN108183106B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外等我继续说。 ...

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及制造其的方法“授权公告号CN108183106B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外等我继续说。

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件及其制造的方法“授权公告号CN109378315B,申请日期为2018年6月。专利摘要显示，一种半导体存储器件包括单元阵列区域和外围电路区域。单元阵列区域包括电极结构和垂直结构，该好了吧！

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jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 3 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， san xing dian zi zhu shi hui she qu de yi xiang ming wei “ ban dao ti cun chu qi jian ji qi zhi zao de fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 0 9 3 7 8 3 1 5 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 8 nian 6 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， yi zhong ban dao ti cun chu qi jian bao kuo dan yuan zhen lie qu yu he wai wei dian lu qu yu 。 dan yuan zhen lie qu yu bao kuo dian ji jie gou he chui zhi jie gou ， gai hao le ba ！

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“的专利，授权公告号CN109841630B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，一种半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括垂直地堆叠在衬底上的多个层。所述多个层的每个包括神经网络。

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件及其操作方法“授权公告号CN108461499B,申请日期为2018年2月。专利摘要显示，本发明提供一种三维(3D)半导体存储器件及其操作方法，该3D半导体存储器件包括：电极结构，包括好了吧！

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“预测半导体集成电路良率的装置和半导体器件的制造方法“授权公告号CN109426698B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，提供了一种良率预测装置。良率预测装置可以包括耦接到至少一个非暂时好了吧！

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金融界2024年2月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“授权公告号CN111146208B,申请日期为2019年11月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件包括：基板，包括存储单元区域和连接区域；多个栅电极，在存储单元区域和连接区域中；多个等我继续说。

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金融界2024年2月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体薄膜结构以及包括其的电子器件“授权公告号CN112687732B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示，一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓还有呢？

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金融界2024年2月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器装置“授权公告号CN111009528B,申请日期为2019年10月。专利摘要显示，公开了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：第一衬底上的外围电路结构；外围电路结后面会介绍。

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金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“具有重叠图案的半导体装置“授权公告号CN109817516B,申请日期为2018年11月。专利摘要显示，一种半导体装置包括：半导体衬底，包括单元内区域及划片槽，所述划片槽界定所述单元内区域；第一重叠好了吧！

金融界2024年2月5日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其制造方法“授权公告号CN113539980B,申请日期为2021年3月。专利摘要显示，提供了半导体器件及其制造方法，其中，在半导体衬底上方附接半导体器件。在半导体衬底上是什么。