摘要：
硅材料国家重点实验室，原名高纯硅及硅烷国家重点实验室，是位于中国浙江省杭州市的一个国家重点实验室，隶属于浙江大学。于1985年经批准开始建设，1987年通过验收，1988年正式开放，是国内较早的国家重点实验室之一。实验室以浙江大学材料物理与化学学科为依托，主要研究方向为半导体硅材料、半导体薄膜材料。...
硅材料国家重点实验室，原名高纯硅及硅烷国家重点实验室，是位于中国浙江省杭州市的一个国家重点实验室，隶属于浙江大学。于1985年经批准开始建设，1987年通过验收，1988年正式开放，是国内较早的国家重点实验室之一。实验室以浙江大学材料物理与化学学科为依托，主要研究方向为半导体硅材料、半导体薄膜材料。
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半导体材料是一类固体材料，其导电性介于导体和绝缘体之间，属於半导体。 1833年，英国的法拉第发现硫化银是半导体材料，因为它的电阻隨著温度上升而降低。 1874年，德国的布劳恩注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。 1947年12月23日，巴丁与布拉坦进一步使用点接触电。
ban dao ti cai liao shi yi lei gu ti cai liao ， qi dao dian xing jie yu dao ti he jue yuan ti zhi jian ， shu yu ban dao ti 。 1 8 3 3 nian ， ying guo de fa la di fa xian liu hua yin shi ban dao ti cai liao ， yin wei ta de dian zu 隨 zhu wen du shang sheng er jiang di 。 1 8 7 4 nian ， de guo de bu lao en zhu yi dao liu hua wu de dian dao lv yu suo jia dian ya de fang xiang you guan ， zhe jiu shi ban dao ti de zheng liu zuo yong 。 1 9 4 7 nian 1 2 yue 2 3 ri ， ba ding yu bu la tan jin yi bu shi yong dian jie chu dian 。
杂质半导体（英语：extrinsic semiconductor）又称外质半导体、非本征半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂物，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。 杂质半导体一般分为含n型或p型的杂质，在一定条件下（例如加热），可迫使其标。
gaps）是指半导体材料的导带底的极小值和价带顶的极大值在k空间内对应同一个k值的能带结构，具有这种结构的半导体称为直接跃迁型半导体（或称直接带隙半导体）。直接带隙结构中，电子由价带顶跃迁至导带底时保持k不变，并吸收光子。 间接能隙（英语：Indirect band gaps）是指半导体材料。
杨德仁（1964年4月—），江苏扬州人，中国半导体材料学家，浙江大学教授。2017年当选为中国科学院院士。 1985年毕业于浙江大学材料系，1991年获浙江大学博士学位。2020年就任浙大宁波理工学院院长。 杨德仁. 中国科学院. [2018-10-10]. （原始内容存档于2018-04-12）. 。
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半导体器件（英语：semiconductor device）是利用半导体材料的特殊电特性来完成特定功能的电子器件。半导体的导电性介於良导电体与绝缘体之间，这些半导体材料通常是硅、锗或砷化镓，並经过各式特定的渗杂，产生P型或N型半导体，作成整流器、振盪器、发光器、放大器、测光器等元件或设备。 常见的半导体元件有二极体、电晶体等。。
有机半导体是具有半导体性质的有机材料。单分子短鏈（低聚物和有机聚合物）可以是半导体。半导体小分子（芳香族烃类）包括的多环芳族化合物，並五苯，蒽，以及红荧烯（英语：rubrene）。聚合物有机半导体包括聚（3 -己基噻吩），聚（对亚苯基亚乙烯基）（英语：poly(p-phenylene vinylene)），以及聚乙炔及其衍生物。。
中国科学院半导体研究所（以下简称“半导体所”），是中国科学院下设的研究机构，位于北京市海淀区清华东路甲35号（位于北京林业大学北边）。半导体所成立于1960年，前身是1956年成立的“半导体研究组”（隶属于当时的中国科学院应用物理研究所，今中国科学院物理研究所）。半导体所的研究领域覆盖半导体理论、材料。
宽带隙半导体（也称为WBG半导体或WBGS ）是比传统半导体具有更大带隙的半导体材料。硅等传统半导体的带隙在 0.6 – 1.5 电子伏特 (eV) 范围内，而宽带隙材料的带隙范围在 2 eV 以上。 一般来说，宽带隙半导体的电子特性介于传统半导体和绝缘体之间。 宽带隙半导体。
磁性半导体（英语：Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性和半导体特性的半导体材料。如果在设备里使用磁性半导体，它们将提供一种新型的导电方式。尽管传统的电子技术基于载流子（N型或者P型），实用的磁性半导体允许对量子自旋的控制。理论上，这将提供接近完全的自旋极化（在铁等材料。
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应用材料公司（英语：Applied Materials, Inc.；NASDAQ：AMAT、港交所：4336）简称应材，是全球最大的半导体制造设备和服务供应商。 主要产品为芯片制造相关类产品，例如原子层沉积、物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、侵蚀、离子注入、快速热处理、化学机械抛光、测量学和硅片检。
窄带隙半导体是指带隙小于0.5 eV，或红外吸收截止波长超过2.5微米的半导体材料。更广义的定义包括带隙小于硅（1.1 eV）的所有半导体。 现代太赫兹、红外 和热成像 技术均基于此类半导体。 窄带隙材料应用于红外探测器和红外领域，以实现卫星遥感、远程通讯的光子集成电路 和无人驾驶车辆的Li-Fi系统。
金属材料 无极非金属材料 陶瓷材料 有机材料 高分子材料 按物理性质分类 高强度材料 耐高温材料 超硬材料 导电材料 绝缘材料 磁性材料 透光材料 半导体材料 按状態分类 单晶材料 多晶质材料 非晶態材料 准晶態材料 按物理效应分类 铁电材料 压电材料 热电材料 光电材料 电光材料 磁光材料 声光材料。
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双极磁性半导体（英语：Bipolar Magnetic Semiconductors，BMS) 是一类特殊的磁性半导体材料。它具有独特的电子能带结构，其电子能带结构的价带顶和导带底是100%自旋极化的，且价带顶和导带底的自旋极化方向相反。双极磁性半导体具有三个特征能隙：价带内的自旋翻转能隙Δ1，半导体。
在此过程中，电子电路逐渐在晶圆上创建，晶圆通常由纯单晶半导体材料制成。硅几乎总是被使用，但各种化合物半导体被用于专业应用。 制造过程在高度专业化的半导体制造工厂中执行，也称为晶圆厂或"fabs"， 其核心部分是"洁净室"。在更先进的半导体器件（如现代14/10/7纳米节点）中，制造过程可能需要长达。
半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类固体材料。 单晶硅可用于制作半导体器件、太阳能电板和积体电路。 高温超导材料 高分子材料可以用作结构材料代替钢铁，甚至具有良好的导电性和耐高温等特性。 丝绸是一种天然高分子材料。 天然纤维如棉花、麻等。 合成纤维 橡胶 塑料 复合材料是以高分子材料。
半导体、杂质半导体（n型半导体、p型半导体）。 电导率容易受控制的半导体，可作为资讯处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如电脑、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理资讯。常见的半导体材料。
浙江大学材料科学与工程学院是浙江大学的一个学院，1978年由当时化工系的硅酸盐、机械系的金相和铸造、无线电系的半导体材料等专业组建而成，是中国最早成立的综合材料系。现属于工学部。 学院每年招收120名本科生、130余名硕士生、40-50名博士生，该学科历年毕业生的就业率均保持近100%。 学院的材料。
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半导体的特殊pn结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构（heterostructure）的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料。
化合物半导体或复合半导体（英语：compound semiconductor）是一类由化合物构成的半导体材料。化合物半导体中的化合物通常由两种或更多元素的原子构成。常见的化合物半导体由13至15族元素（三五半导体）构成。可能形成的化合物组合较多，这是因为可以有二元化合物（例如砷化镓）和三元化合物（例如砷化铟镓（英语：Indium。
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