摘要：
高分子发光二极管（Polymer Light-emitting diode）是有机发光二极管（OLED）的一种。高分子发光二极管同小分子有机发光二极管相比具有造价更低，加工更简单的优点。 高分子液晶材料具有普通液晶材料的光学特性，但是由于转变速度比较慢，因此通常用于对显示转变速度要求不高的场合。。...
高分子发光二极管（Polymer Light-emitting diode）是有机发光二极管（OLED）的一种。高分子发光二极管同小分子有机发光二极管相比具有造价更低，加工更简单的优点。 高分子液晶材料具有普通液晶材料的光学特性，但是由于转变速度比较慢，因此通常用于对显示转变速度要求不高的场合。。
在价格上已经和LCD达到黄金交叉点，成本已经略低於LCD。 小分子的高效有机发光二极管首先被在伊士曼柯达公司的邓青云博士等人开发。虽然该术语的SM-OLED中也使用，术语OLED传统特指这种类型的器件。 高分子发光二极管（PLED），也是发光聚合物（LEP），包含当连接到外部电压而发光的电致发光导电。
zai jia ge shang yi jing he L C D da dao huang jin jiao cha dian ， cheng ben yi jing lve di yu L C D 。 xiao fen zi de gao xiao you ji fa guang er ji guan shou xian bei zai yi shi man ke da gong si de deng qing yun bo shi deng ren kai fa 。 sui ran gai shu yu de S M - O L E D zhong ye shi yong ， shu yu O L E D chuan tong te zhi zhe zhong lei xing de qi jian 。 gao fen zi fa guang er ji guan （ P L E D ） ， ye shi fa guang ju he wu （ L E P ） ， bao han dang lian jie dao wai bu dian ya er fa guang de dian zhi fa guang dao dian 。
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中频。混频器也用于在无线电发射机中调变载波。 混频器的本质特性是它在输出信号中产生一个两路输入信号的乘积的分量。具有非线性（如指数）特性的器件可以用作混频器。无源混频器使用一个或多个二极管，并依赖于其电压和电流之间的非线性关系，以实现乘法计算。在无源混频器中，得到的输出信号的功率总是比输入信号低。。
的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管工作原理类似，不过构造较为简单。主要结构即为一个由第三。
二极管的二极管使用了一个PIN接面，而不是一般的PN接面，来增加器件对信号的响应速度。光电二极管常常被设计为工作在反向偏置状态。 一个光电二极管的基础结构通常是一个PN结或者PIN结构。当一个具有充足能量的光子冲击到二极管。
变容二极管（英语：Varicap diode），又称变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管，是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用，例如调频发射机的频率调制和锁相环。
二极管（Laser diode）等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量最大的激光器。 在基本构造上，它属于半导体的P-N接面，但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层（活性层），是“双异质接合构造”。而且在激光二极管。
辐射热测量计是一种物体测量辐射热量的传感器。 简明原理: 吸收光的辐射功率 → 温度升高 → 改变电阻大小。 特点:该仪器具有很高的灵敏性。相对于其他辐射探测器（比如光电管及光电二极管）而言，辐射热测量计具有比较高的带宽，以及对比较难或者未知的射线的探测（比如远红外射线和太赫射线） 常用有两种：。
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V）。但由于消除了反向恢复电流，这种二极管可将电源适配器的效率提高0.5%-1%，同时降低电磁干扰，允许缩小EMI滤波器的体积。时至2011年，市面上可购买到反向耐压高达1700V的产品。碳化硅肖特基二极管具有优良的热导率，温度因素对二极管的切换特征和温度特征只有很小的影响。特殊封装的碳化硅肖特基二极管可以在结温达500 K。
具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构（heterostructure）的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子元件的关键成分。。
雪崩光电二极管(APD)(又称累崩光电二极体或崩溃光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500。
耿氏二极管（英语：Gunn diode，香港作耿氏二极体，台湾作甘恩二极体、刚氏二极体），或称转移电子器件（transferred electron device, TED）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有。
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。与之相反，若电势差的方向逆转，电子无法轻易地离开阳极跳跃至阴极。 移动的电子形成电流。因为电子只能从阴极移至阳极，所以工作中的真空二极管具有单向导电性。 在真空二极管的基础上，三极管在阴极和阳极之间添加了一个栅极。通过在栅极和阳极间加上栅极电压，可以使栅极带上负电荷。由于电荷同性相斥，通过改变栅极。
发光二极管只能够往一个方向导通（通电），叫作正向偏置；当电流流过时，电子与电洞（电子空穴）在其內复合而发出单色光，这叫“电致发光效应”；而光线的波长、顏色跟其所採用的半导体物料种类与故意掺入的元素杂质有关。发光二极管具有效率高、寿命长、不易破损、反应速度快、可靠性高等传统光源不及的优点。 发光二极管。
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小信号模型（英语：Small-signal modeling）是电子工程中的一项常用的分析模型，即利用线性方程来近似计算非线性元件的性质。二极管的计算就是一个典型的例子。流经二极管的电流I与电压V之间的关系具有非线性关系： I D = I S e V D / n V T {\displaystyle I_{D}=I_{S}e^{V_{D}/nV_{T}}}。
二极管(450nm)的混合光源高亮度投影机，功率高达1000mW以上的蓝光半导体二极管被大量生产而普及化。 使用波长405nm的堇紫色激光二极管（使用在蓝光光碟內），属於半导体激光，接近紫外光波段，可视度较低，但能激发萤光，具有验钞和检验化学品作用。。
肖特基势垒（英语：Schottky barrier），是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒（障壁）相较於PN接面最大的区别在於具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)耗尽层宽度。 並非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有。
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谐振隧穿二极管(Resonant tunneling diode, RTD)是利用电子在某些能级能够谐振隧穿而导通的二极管。其电流电压特性常显示出负阻特性。 所有的隧道二极管(Tunnel diode)都是利用量子穿隧效应工作的。它们大多具有负阻的电流电压特性。
由于泵浦光和探测光必须具有精确相同的频率，因此最方便的解决方案是使它们来自同一激光器。使激光器发出的光束射向中性密度滤光镜，穿过滤光镜的光作为泵浦光，而强度较低的反射光作为探测光。为了微调激光器的频率，可以使用带有能够控制腔波长的压电换能器的二极管激光器。为了消除光电二极管的噪声，可以采用激光多次扫频，而将光电二极管的多次读数取平均的方法。。
具有较短栅极长度的器件将用于需要更高频率的电信和航空业产品。 基于氮化镓的MOSFET和MESFET晶体管也具有高功率低损耗的优势，特别适合在汽车和电动汽车中应用。自2008年起，这两种晶体管已可以在硅基板上制成。高电压（800V）肖特基二极管（SBD）也已经研制成功。。
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