摘要：公开号CN117391006A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本公开实施例公开了一种反熔丝电路及电路测试方法，该反熔丝电路包括：第一晶体管；与所述第一晶体管连接的至少一个寄生晶体管和至少一个寄生三极管；所述至少一个寄生晶体管和所述至少一个寄生三极管均连接在第一节神经网络。
...公开号CN117391006A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本公开实施例公开了一种反熔丝电路及电路测试方法，该反熔丝电路包括：第一晶体管；与所述第一晶体管连接的至少一个寄生晶体管和至少一个寄生三极管；所述至少一个寄生晶体管和所述至少一个寄生三极管均连接在第一节神经网络。
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金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“三极管及其制造方法“授权公告号CN109962103B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种三极管及其制造方法，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分是什么。
jin rong jie 2 0 2 3 nian 1 2 yue 2 5 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， hang zhou shi lan wei dian zi gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ san ji guan ji qi zhi zao fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 0 9 9 6 2 1 0 3 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 7 nian 1 2 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming ti gong le yi zhong san ji guan ji qi zhi zao fang fa ， bao kuo jie zhi ceng ， qi zhong ， kao jin suo shu di er dao dian lei xing wai yan ceng de bu fen shi shen me 。
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证券之星消息，根据企查查数据显示士兰微(600460)新获得一项发明专利授权，专利名为“三极管及其制造方法”，专利申请号为CN201711408816.8,授权日为2023年12月22日。专利摘要：本发明提供了一种三极管及其制造方法，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分厚度的神经网络。
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三极管产品的优势包括，产品结构简单、价格较低、耐静电能力强等，在消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对分立器件功耗和频率要求愈发严格的背景下，其市场空间正逐步被MOSFET等元器件取代。据统计，2021年全球三极管市场规模为10.25亿美元，预计到2026年全球三极管市还有呢？
南方财经6月1日电，扬杰科技在互动平台表示，公司MOS、二三极管等功率器件产品已运用到英伟达相关产品。
金融界10月11日消息，扬杰科技在互动平台表示，公司的IGBT、MOSFET及二三极管产品均有运用于新能源汽车领域，并已经直接向塞力斯和比亚迪供货，其中塞力斯问界系列均搭载公司产品。本文源自金融界AI电报
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扬杰科技在互动平台表示，公司MOS、二三极管等功率器件产品已运用到英伟达相关产品。本文源自金融界
商络电子在互动平台表示，公司通过Tier1供应商间接为小米汽车供应阻容感、二三极管、电源芯片等电子元器件。本文源自金融界AI电报
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电子元器件有着不同的封装类型，不同类的元器件外形虽然差不多，但内部结构及用途却大不同，譬如TO220封装的元件可能是三极管、可控硅、场效应管甚至是双二极管。TO-3封装的元器件有三极管，集成电路等。今天我们就来盘点一下常见的二极管、三极管、MOS封装类型，下图含精确等我继续说。
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包括：第一三极管模块、第二三极管模块和门极电阻模块；有源钳位单元，包括：第一TVS二极管模块、第二TVS二极管模块、以及第一电阻模块；反馈单元，设置在有源钳位单元与推挽放大单元的前级之间，用于将有源钳位单元的电流反馈至推挽放大单元的前级。该方案，通过设置两路击穿电流说完了。
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