PN结是所有半导体二极管的基本工作原理。 对于普通的直流电,PIN型二极管和普通的二极管没有太大的差异。但与普通的PN结二极管相比,PIN型二极管在高频应用中有着非常特殊的特性。当在PIN型二极管上施以正向偏置的直流电时,PIN型二极管允许高频振荡的整个波形通过二极管,此时,PIN型二极管。
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变容二极管(英语:Varicap diode),又称变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管,是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用,例如调频发射机的频率调制和锁相环。
bian rong er ji guan ( ying yu : V a r i c a p d i o d e ) , you cheng bian rong er ji guan 、 ke bian dian rong er ji guan 、 ke bian dian kang er ji guan huo tiao xie er ji guan , shi dian zi xue zhong yi zhong zhi zai li yong fan xiang pian zhi p - n jie dian ya xiang guan dian rong de er ji guan 。 bian rong er ji guan yong zuo ya kong dian rong qi 。 ta men tong chang yong yu ya kong zhen dang qi 、 can liang fang da qi he bei pin qi 。 ya kong zhen dang qi you xu duo ying yong , li ru tiao pin fa she ji de pin lv tiao zhi he suo xiang huan 。
二极管的老式音频设备有回潮的迹象,如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管。
向开始后,在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低,完全取决于关断时电荷的密度,而密度又与几种因素有关,如掺杂质的数量和拓扑,层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形,集电极电流引起功耗升高和交叉导通问题,特别是在使用续流二极管的设备上,问题更加明显。。
牵引发电机发出的三相交流电由硅整流装置转换成直流电,由风冷式硅二极管元件组成三相桥式全波整流电路。东风4DF型机车初期使用GTF-5100/1250型硅整流装置,整流装置有六个串联的整流桥臂,每一桥臂有两个并联的ZP2500-28型整流二极管,每台机车共有12个整流二极管元件。硅整流装置的最大直流输出电压为1250。
二极管相同的水平,因此除非是需要高切换速度的场合,这种二极管在应用中没有优势。 碳化硅肖特基二极管是一种新型的肖特基二极管,与传统的硅质二极管相比,其反向漏电流更低、反向耐压更高,但导通电压也更高(25°C时的导通电压为1.4-1.8 V)。但由于消除了反向恢复电流,这种二极管可将电源适配器的效率提高0。
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二极管。如果二极管的P极更靠近信号的正极,当正极电压较小时,二极管反向截止,uo=ui;当正极电压较大时,会导致二极管正向导通,P极电压将很接近N极电压,从而限制住正向电压的大小,实现正向限幅。 作用在二端口网络中,左端为输入,右端为输出。分析时一般考虑理想二极管。如果二极管的N极更靠近信号的正。
二极管的正向电流。 仅有多数载流子能够在半导体材料中长距离移动。因此,注入p区的电子不能继续移动更远,而是很快与电洞复合。少数载流子在注入中性区后移动的平均距离称为扩散长度(diffusion length),一般来说仅有微米等级。 虽然跨过p-n结的电子在p-区只能穿透短距离,但正向。
正电流以提高导通的可靠性。 关断由门极和阴极端子之间的“负电压”脉冲完成,一些正向电流(占比约1/3至1/5)用于感应出阴极-门极电压,这反过来会使正向电流下降,引致GTO关断。关断期间必须限制GTO的正向电压(通常约为正向。
二极体电桥(diode bridge)是用四个或四个以上的二极管组成的电桥电路组態,不论输入电压的电极性(英语:Electrical polarity)是正是负,输出都可以维持相同的极性。 二极体电桥最常见的用途是將交流电(AC)转换为直流电(DC),也称为桥式整流器。桥式整流器配合二线交流输入电。
正向电流时,能发射可见或非可见辐射,此辐射为透过三价与五价元素所组成复合光源。 发光二极管只能够往一个方向导通(通电),叫作正向偏置;当电流流过时,电子与电洞(电子空穴)在其內复合而发出单色光,这叫“电致发光效应”;而光线的波长、顏色跟其所採用的半导体物料种类与故意掺入的元素杂质有关。发光二极管。
二极管元件组成三相桥式全波整流电路。东风12型机车使用与东风4B型机车相同的GTF-4800/770型硅整流装置,整流装置有六个串联的整流桥臂,每一桥臂有六个并联的ZP500-20型风冷平板式整流二极管(正向额定电流为500安培,反向峰值电压为2,400伏特),每台整流柜共有36个二极管。
在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场,外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而,在半导体中,正负电荷的密度较低,无法完全抵消外加电场,所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性,这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管,场效应晶体管(主要指的是MOSFET,JFET和MESFET)。 表面的导电性和能带弯曲。
理论上一个开环组态(无负反馈)的运放可以发挥低端比较器的作用。当正相输入端(V+)的电压高于反相输入端(V-)时,由于运放较高的开环增益,在输出端输出一个正向饱和电压+Usat。当反相输入端(V-)的电压高于正相输入端(V+)时,在输出端输出一个反向饱和电压-Usat。而对工作在线性段。
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相对换的结型场效应管上(不是所有结型场效应管都可以)。 传统地元件的周围还有一个圈。 箭头示明沟道和栅极之间pn结的极性。如同一般的二极管箭头从p区指向n区,这也是正向偏压下的电流方向。 与金属-氧化物-半导体场效应管相比结型场效应管的栅电流比较大,但是比双极性晶体管小。结型场效应管的跨导比金属-氧。
稽纳二极体(英语:Zener diode),是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿(崩溃)效应,制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术元件,因此又称为“稳压二极体”。 齐纳二极体的名称是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳,他首先阐述了绝缘体的电击穿特性,后来贝尔实验室运用这项发现,开发出此种二极体,並以齐纳作为命名以兹纪念。。
在电子学中,施密特触发器(英语:Schmitt trigger)是包含正反馈的比较器电路。 对於标准施密特触发器,当输入电压高於正向阈值电压,输出为高;当输入电压低於负向阈值电压,输出为低;当输入在正负向阈值电压之间,输出不改变,也就是说输出由高电准位翻转为低电准位,或是由低电准位翻转为高电准位对。
性晶体管的电流放大能力和场效应管的低功耗特点)。:53-54 NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下,发射结(基极与发射极之间的PN结)处于正向偏置状态,而集电结(基极与集电极之间的PN结)则处于反向偏置状态。:29-30在没有外加电压时,发射结N。
等流体原理,起到类似冰箱压缩机制冷的效果。具有很高的导热性、优良的等温性、热流密度可变性、热流方向酌可逆性、可远距离传热、恒温特性(可控热管)、热二极管与热开关性能等一系列优点,并且由热管组成的换热器具有传热效率高、结构紧凑、流体阻损小等优点。由于其特殊的传热特性,因而可控制管壁温度,避免露点腐蚀。但价格相对较高。。
律,在大多数的情况下,电阻的电压与电流的数值成正比,因此I-V图呈直线。只有在电阻使用某种物料或在某个温度环境下,方会出现非直线图表。 当二极管外加正向电压很低时,正向电流很小,几乎为0。当正向电压超过一定数值后,电流增长很快。这个数值的正向电压被成为死区电压或开启电压,其大小与材料及环境温度有关。。
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