金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“公开号CN117438420A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,描述了管芯结构及其形成方法。在实施例中,器件包括:下部集成电路管芯;第一上部集成电路管芯是什么。
金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117440682A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,可以提供一种半导体器件,其包括:衬底,包括单元阵列区域和外围电路区域,所述衬底包括限定在所述单元阵列区域中的第一等我继续说。
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jin rong jie 2 0 2 4 nian 1 yue 2 4 ri xiao xi , ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao , san xing dian zi zhu shi hui she shen qing yi xiang ming wei “ ban dao ti qi jian “ gong kai hao C N 1 1 7 4 4 0 6 8 2 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 6 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi , ke yi ti gong yi zhong ban dao ti qi jian , qi bao kuo : chen di , bao kuo dan yuan zhen lie qu yu he wai wei dian lu qu yu , suo shu chen di bao kuo xian ding zai suo shu dan yuan zhen lie qu yu zhong de di yi deng wo ji xu shuo 。
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金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的电子系统“公开号CN117440689A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,提供了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括:外围电好了吧!
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金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和制造该半导体装置的方法“公开号CN117438445A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示,提供了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法,所述半导体装置包括:基底,包括有源图案;一等我继续说。
金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统”,公开号CN117437966A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体神经网络。
金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括二维材料的半导体器件及其制造方法“公开号CN117438462A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示,一种半导体器件可以包括:至少一个第一二维材料层;分别在所述至少一个第一二维材料层的两神经网络。
金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括电感器结构的半导体装置“公开号CN117438409A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括基底、包括布置在基底上的电路元件的元件层、在元等会说。
金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括铁电晶体管的三维半导体器件“公开号CN117440691A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示,一种三维半导体器件,包括:板状公共源极线;第一字线和第二字线,彼此间隔开以至少部分地限定该第等会说。
金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“制作半导体器件的方法和半导体器件“公开号CN117438310A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本申请实施例提供一种制作半导体器件的方法、半导体器件、芯片和电子设备,该方法包括:在衬底后面会介绍。
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近日,扬州鑫华半导体科技有限公司成立,法定代表人为张春伟,注册资本4.60亿元人民币,经营范围含一般项目:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;半导体分立器件制造;半导体分立器件销售;电子专用材料制造;电子专用材料研发;电子元器件批发;电子元器件零后面会介绍。
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