金融界2024年1月26日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“显示基板及其制备方法、显示装置“公开号CN117461400A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种显示基板,包括:基底;像素驱动电路和发光单元,依次叠置于所述基好了吧!
金融界2024年1月19日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法“公开号CN117423621A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中,形成在基底上方具有金后面会介绍。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 1 yue 1 9 ri xiao xi , ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao , tai wan ji ti dian lu zhi zao gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ ban dao ti zhuang zhi ji qi zhi zao fang fa “ gong kai hao C N 1 1 7 4 2 3 6 2 1 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 9 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi , ben gong kai she ji yi zhong ban dao ti zhuang zhi ji qi zhi zao fang fa 。 zai ban dao ti zhuang zhi de zhi zao fang fa zhong , xing cheng zai ji di shang fang ju you jin hou mian hui jie shao 。
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金融界2024年1月17日消息,据国家知识产权局公告,东风汽车集团股份有限公司取得一项名为“改性基底层及制备方法、气体扩散层、膜电极和燃料电池”的专利,授权公告号CN115084541B,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本发明公开了一种改性基底层及制备方法、气体扩散层等我继续说。
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以提高绕镀钝化层和绕镀掺杂半导体层对半导体基底侧面的钝化效果。所述太阳能电池包括:半导体基底、第一钝化层、第一掺杂半导体层、绕镀钝化层和绕镀掺杂半导体层。半导体基底的至少部分侧面为平面、且表面晶向为[110],表面晶向为[110]的侧面在半导体基底的所有侧面中的占说完了。
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金融界2024年1月8日消息,据国家知识产权局公告,南京波长光电科技股份有限公司取得一项名为“一种三波段激光增透膜及其制备方法“授权公告号CN109991691B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示,本发明公开了一种三波段激光增透膜及其制备方法,该增透膜包括基底层,基底层神经网络。
金融界2024年1月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“使用基底间布线结构的高度集成的图像传感器“公开号CN117352524A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,一种图像传感器包括:第一基底,其中集成有一晶体管;以及第一多个布线结构,在第一基底上等我继续说。
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身上长痣和斑点是再正常不过的但恰恰是这些不起眼的看似正常的东西也常常会混淆“视听”让人放松警惕浙江大学医学院附属第一医院皮肤科医生表示有一种叫做基底细胞癌的肿瘤常常会“伪装”成斑或痣如果出现下面这些情况一定要警惕1 长了十多年的“媒婆痣”竟是癌?说完了。
所述抗反极催化剂包括碳基底,碳基底上负载有含尖端的超薄纳米带结构,含尖端超薄纳米带结构的化学成分包括主族金属元素和钌元素;通过在抗反极催化剂的碳基底上设置含尖端的超薄纳米带结构,并细化该超薄纳米带结构的化学成分,可以显著提升高电流密度下的OER催化性能,进而在是什么。
金融界2024年1月26日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“的专利,公开号CN117457621A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底,具有第一区域和第二区域;第一器件,在第一区域中位于基底上;第等会说。
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阵列基板包括基底和基底上的多条信号线,多条信号线包括多条第一信号线和多条第二信号线,多条第一信号线和多条第二信号线交叉限定出多个第一区域,多个第一区域包括多个第一像素区、至少一个第二像素区和至少一个冗余区;第一信号线沿第一方向延伸,第二信号线包括沿第二方向是什么。
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