摘要：金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法“授权公告号CN110299358B,申请日期为2019年1月。专利摘要显示，一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多是什么。
...金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法“授权公告号CN110299358B,申请日期为2019年1月。专利摘要显示，一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多是什么。
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金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件以及形成半导体器件的方法“授权公告号CN110783410B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示，根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏后面会介绍。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 8 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， tai wan ji ti dian lu zhi zao gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ ban dao ti qi jian yi ji xing cheng ban dao ti qi jian de fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 1 0 7 8 3 4 1 0 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 9 nian 7 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， gen ju ben shen qing de shi shi li ， ti gong le yi zhong ban dao ti qi jian 。 gai ban dao ti qi jian bao kuo ju you yuan ji / lou hou mian hui jie shao 。
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及其制造方法“授权公告号CN108695433B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，公开了一种半导体器件。该半导体器件包括第一字线、第一位线，模制膜和第一存储单元。第一位线与第还有呢？
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109003975B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸说完了。
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“的专利，授权公告号CN108987405B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，可以提供一种半导体存储器件，其包括：基板，包括第一块和第二块，第一块和第二块每个具有单元阵列区域和是什么。
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109037221B,申请日期为2018年4月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，沟道孔提供在基板上以在垂直于基板的上表后面会介绍。
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种半导体存储器的阵列结构“授权公告号CN109698193B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体存储器的阵列结构，具有纵向和横向两个互相垂直的方向，在复数个阵列说完了。
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法“授权公告号CN113517289B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示，该发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种半导体结构及其形成方法。该方法包括：提供半导体衬底好了吧！
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体器件及其制造方法“授权公告号CN113809012B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该方法包括获取衬底，衬底上形成有第一器件区域和第二神经网络。
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，阳光电源股份有限公司取得一项名为“功率半导体模块的损耗在线计算方法及其应用方法和装置“授权公告号CN110502720B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示，本发明提供的功率半导体模块的损耗在线计算方法及其应用方法和后面会介绍。
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