摘要：观点网讯：1月17日消息，苹果(AAPL.US)已超越三星(SSNLF.US),首次登顶全球年度手机出货榜，而三星自2010年以来首次失去了榜首位置。据国际研究机构IDC数据，2023年全球智能手机出货量同比降低3.2%至11.7亿部。其中，2023年，苹果的年出货量约为2.35亿部，市占率为20.1%,首次超等会说。
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观点网讯：1月17日消息，苹果(AAPL.US)已超越三星(SSNLF.US),首次登顶全球年度手机出货榜，而三星自2010年以来首次失去了榜首位置。据国际研究机构IDC数据，2023年全球智能手机出货量同比降低3.2%至11.7亿部。其中，2023年，苹果的年出货量约为2.35亿部，市占率为20.1%,首次超等会说。
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观点网讯：1月17日，三星电子将于美西时间1月17日上午10点在美国加州圣何塞举行全球新品发布会“三星Galaxy Unpacked 2024”。此次发布会可能会推出搭载人工智能技术的“Galaxy S24”系列智能手机。据相关介绍，Galaxy S24系列新机可能会搭载高通第三代骁龙8和三星Exynos后面会介绍。
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guan dian wang xun ： 1 yue 1 7 ri ， san xing dian zi jiang yu mei xi shi jian 1 yue 1 7 ri shang wu 1 0 dian zai mei guo jia zhou sheng he sai ju xing quan qiu xin pin fa bu hui “ san xing G a l a x y U n p a c k e d 2 0 2 4 ” 。 ci ci fa bu hui ke neng hui tui chu da zai ren gong zhi neng ji shu de “ G a l a x y S 2 4 ” xi lie zhi neng shou ji 。 ju xiang guan jie shao ， G a l a x y S 2 4 xi lie xin ji ke neng hui da zai gao tong di san dai xiao long 8 he san xing E x y n o s hou mian hui jie shao 。
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鞭牛士1月17日消息，据TechInsights预计，2023年全年全球智能手机出货量同比下降3.8%,至11.522亿部。三星以19.6%的市场份额保持领先地位，苹果以18.8%的市场份额紧随其后，这是苹果自2013年以来的最高市场份额。苹果以22.6%的市场份额位居榜首，同比增长1%。三星以16.6%的还有呢？
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智通财经APP获悉，根据最新数据显示，苹果(AAPL.US)首次超越三星电子(SSNLF.US),成为全球智能手机市场的领头羊，这也是三星自2010年以来首次失去榜首的位置。研究公司IDC估计，iPhone去年的出货量接近2.35亿部，占全球市场的五分之一。三星的出货量暴跌两位数，至2.266亿部，排后面会介绍。
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IT之家1 月17 日消息，三星Galaxy A35 手机近日现身GeekBench 跑分库，显示型号为“SM-A356U”，采用Exynos 1380 芯片和6GB 内存。该机运行基于安卓14 的One UI 6 系统，在GeekBench 5.5.1 版本中单核成绩为697 分，多核成绩为2332 分。跑分信息还确认了三星Galaxy A35 是等会说。
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金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“泵马达和具有该泵马达的洗衣机“授权公告号CN113502643B,申请日期为2016年12月。专利摘要显示，公开了一种泵马达和具有该泵马达的洗衣机。泵马达包括壳体；插座部分，设置在壳体的一部分中好了吧！
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金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于处理图像的电子设备及其图像处理方法“授权公告号CN113455013B,申请日期为2020年2月。专利摘要显示，本公开涉及公开了一种电子设备，包括存储器和与存储器电连接的处理器。存储器存储好了吧！
金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于对外部装置无线充电的电子装置”，授权公告号CN113383479B,申请日期为2020年1月。专利摘要显示，电子装置包括壳体，该壳体包括第一板、与第一板间隔开并面向第一板的第二板、以及至少部后面会介绍。
金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体装置“授权公告号CN109390407B,申请日期为2018年7月。专利摘要显示，一种半导体装置包含：第一有源图案以及第二有源图案，在衬底上；第一源极/漏极区，在第一有源图案上；第二源极/漏极区，说完了。
金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及其制造方法“授权公告号CN110364432B,申请日期为2019年3月。专利摘要显示，本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上依次形成目标层和第一掩模层；将所述第神经网络。
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