摘要：。激光束由厚约80至200微米的盘片制得。 这种激光的优点是，激光晶体能够被更好的冷却，以及更好的光束质量和更高的单位体积功率。 片状激光通过激光二极管被激发，具有很高的工作效率（70%）。 片状激光由斯图加特大学的Adolf Giesen研发而成。 K. Ueda; N. Uehara. Laser-diode-pumped。...⊙▂⊙
。激光束由厚约80至200微米的盘片制得。 这种激光的优点是，激光晶体能够被更好的冷却，以及更好的光束质量和更高的单位体积功率。 片状激光通过激光二极管被激发，具有很高的工作效率（70%）。 片状激光由斯图加特大学的Adolf Giesen研发而成。 K. Ueda; N. Uehara. Laser-diode-pumped。
另外一种没有过滤材料的电灯泡在工作时产生更多可见光并呈现蓝色，这种灯一般用于捕蚊灯，工业上标记为“BL” 。 黑光灯光源可以来自特殊设计的荧光灯、汞蒸汽灯、发光二极管或者白炽灯。在医学，司法科学及其他科学领域这种光源被称作伍德灯（以Robert Williams Wood 命名）。 在观察荧光时需要用到不产生可见光的黑光灯。。
ling wai yi zhong mei you guo lv cai liao de dian deng pao zai gong zuo shi chan sheng geng duo ke jian guang bing cheng xian lan se ， zhe zhong deng yi ban yong yu bu wen deng ， gong ye shang biao ji wei “ B L ” 。 hei guang deng guang yuan ke yi lai zi te shu she ji de ying guang deng 、 gong zheng qi deng 、 fa guang er ji guan huo zhe bai chi deng 。 zai yi xue ， si fa ke xue ji qi ta ke xue ling yu zhe zhong guang yuan bei cheng zuo wu de deng （ yi R o b e r t W i l l i a m s W o o d ming ming ） 。 zai guan cha ying guang shi xu yao yong dao bu chan sheng ke jian guang de hei guang deng 。 。
＞▽＜
散射传输参数又称T参数，是从入射波和反射波的角度来定义的参数。T参数与S参数的不同之处，在於T参数是将端口1的信号波与端口2的信号波关联起来，而S参数是将反射波与入射波关联起来。从这一方面来说，T参数与ABCD参数充当了相同的角色，能通过将级联网络组成部分的T参数进行矩阵相乘得到级联组合网络的T参数。
基于物理特性和电学参数的仿真来仿真复杂电路的行为。其可仿真包含由下列元件组成的电路和子电路，包括电阻、电容、电感器、互感器、独立电压、电流源、依赖电源、传输线、开关，以及5种最常见的半导体器件：二极管、结型场效应管、双极性晶体管、金属氧化物半导体场效电晶体和金属半导体场效应管。。
稽纳二极体（英语：Zener diode），是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿（崩溃）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术元件，因此又称为“稳压二极体”。 齐纳二极体的名称是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳，他首先阐述了绝缘体的电击穿特性，后来贝尔实验室运用这项发现，开发出此种二极体，並以齐纳作为命名以兹纪念。。
鎵（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光发光二极管。 有了蓝光发光二极管后，白光发光二极管也隨即面世，之后LED便朝增加光度的方向发展，当时一般的LED工作功率都小於30－60 mW（毫瓦）。1999年输入功率达1W（瓦）的发光二极管商品化。这些发光二极管都以特大的半导体晶片来处理高电能输入的问题，。
＞▂＜
eV/K， T 是绝对温度， VB 是二极体的障壁电压。 需要注意的是，一个给定器件的饱和电流不是一个常数；它随温度而变化；当温度作为二极管特性的参数时，饱和电流是造成二极管变化的主要因素。一个普遍的经验是温度每升高10°C，饱和电流变为原来的2倍。(3，Bogart 1986, 40) 一个更为理想的关係是。
LED灯是指利用发光二极管（LED）作为光源的灯，一般使用半导体LED制成。LED灯的寿命和发光效率可达白炽灯的几倍，和一体式荧光灯相比也高出不少，其中Cree等厂家更是号称能达到300流明/瓦特的效率。 单颗发光二极管的光度比传统白炽灯和省电灯泡低很多，所以一个灯泡通常会包含多颗发光二极管。近年，二极管。
变容二极管（英语：Varicap diode），又称变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管，是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用，例如调频发射机的频率调制和锁相环。
rollable display, foldable display）是一种可以像卷轴一样进行活动的显示屏。这种新技术涉及了电子纸(E-ink)、有机发光二极管(OLED)甚至用於智能手机、旋转球(Gyricon)（英语：Gyricon）和电子显示器。 E Ink公司研发出了了电子纸技术。2006年的国际。
＋△＋
类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构（heterostructure）的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子元件的关键成分。。
金属电极无引线端面（英语：Metal Electrode Leadless Face，缩写：MELF）是一种圆柱形状，两端电极金属化的表面安装电子元器件封装，通常是二极管或电阻。EN 140401-803与DO-213标准规定了多种MELF元器件的规格： MELF 0207，长：5.8 mm，直径：2.2 mm，功率：1。
⊙﹏⊙
参数优化。 1966-1968：于得克萨斯农工大学任教授 1968-1993：于卡耐基梅隆大学任教 利用他的几何规划系统，齐纳还设计了用于海水温差发电的热交换器，并指出了适合布设这种交换器的地域。这些理论直到现在还有着现实的指导作用。 齐纳效应（英语：Zener effect） 齐纳二极管 齐纳钉扎（英语：Zener。
well）和量子点（quantum dot）。上述的“层”对于很多现代的半导体器件十分关键，包括激光二极管和发光二极管。 有的系统需要冷却底层。生长室的超高真空环境必须使用一个低温泵（cryopump）来维持，而液氮或低温氮气可以使内部温度冷却到77开尔文（。
●▂●
二极管的老式音频设备有回潮的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管。
＞﹏＜
{\displaystyle h} 模型完全可以用来分析双极性晶体管在较高频率时的性质。对于直流的情况，则采用大写字母来标示这些参数[来源请求]。 电子学主题 半导体 载流子（电子、空穴） 漂移运动 扩散运动 PN结 二极管 场效应管 放大器电路 运算放大器 引用 陈星弼，张庆中. 晶体管原理与设计. 电子工业出版社. 2006。
据欧姆定律，在大多数的情况下，电阻的电压与电流的数值成正比，因此I-V图呈直线。只有在电阻使用某种物料或在某个温度环境下，方会出现非直线图表。 当二极管外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为0。当正向电压超过一定数值后，电流增长很快。这个数值的正向电压被成为死区电压或开启电压，其大小与材料及环境温度有关。。
耿氏二极管（英语：Gunn diode，香港作耿氏二极体，台湾作甘恩二极体、刚氏二极体），或称转移电子器件（transferred electron device, TED）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管。
∪﹏∪
光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。 常见的传统太阳能电池就是通过大面积的光电二极管来产生电能。 光电二极管与常规的半导体二极管基本相似，只是光电二极管可以直接暴露在光源附近或通过透明小窗、光导纤维封装，来允许光到达这种器件的光敏感。
参数的吸收线宽随温度变宽的模型的物质，从而可以推断出相应的衰减系数。Cu2O可以证明克喇末-克勒尼希关系不适用于电磁极化子。 氧化亚铜通常用作颜料、杀真菌剂和船舶涂料的防附着剂。早在1924年，在硅成为标准之前，基于这种材料的整流二极管就已在工业上使用。氧化亚铜也是本氏测试呈阳性的粉红色的原因。。
发表评论