摘要：碳化硅是目前正在研究的半导体，已在快速切换、高温及高电压的应用上，进行前期的大量生产。第一个可用的元件是肖特基二极管、之后是结型场效应管及高速切换的功率MOSFET。目前正在开发双极性晶体管及晶闸管。 碳化硅元件商品化的主要问题是如何去除缺陷：包括边缘位错、螺。...碳化硅是目前正在研究的半导体，已在快速切换、高温及高电压的应用上，进行前期的大量生产。第一个可用的元件是肖特基二极管、之后是结型场效应管及高速切换的功率MOSFET。目前正在开发双极性晶体管及晶闸管。 碳化硅元件商品化的主要问题是如何去除缺陷：包括边缘位错、螺。
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。倍压器只能將输出从0.6 V提昇到2.1 V。若再考虑最后一级平滑电晶体的压降，若不用多级倍压器，无法作到提昇电压的效果。而肖特基二极管导通时的压降只有0.3 V。用肖特基二极管的倍压器可以將电压提昇到2.7 V，过平滑二极体后也有2.4 V。 交叉耦合切换式电容器的特点是输入电压可以非常小，像以电。
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。 bei ya qi zhi neng 將 shu chu cong 0 . 6 V ti sheng dao 2 . 1 V 。 ruo zai kao lv zui hou yi ji ping hua dian jing ti de ya jiang ， ruo bu yong duo ji bei ya qi ， wu fa zuo dao ti sheng dian ya de xiao guo 。 er xiao te ji er ji guan dao tong shi de ya jiang zhi you 0 . 3 V 。 yong xiao te ji er ji guan de bei ya qi ke yi 將 dian ya ti sheng dao 2 . 7 V ， guo ping hua er ji ti hou ye you 2 . 4 V 。 jiao cha ou he qie huan shi dian rong qi de te dian shi shu ru dian ya ke yi fei chang xiao ， xiang yi dian 。
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然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。 表面的导电性和能带弯曲 在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能。
」、「导通」或「不导通」、「低阻抗」或「高阻抗」等。 二极体可以视为开关，顺向偏压时可以导通，逆向偏压时不导通（高阻抗）。有些特別的二极体（像是肖特基二极管及1N4148）可以快速切换，会称为「开关二极体」。 真空管可以用在高压的应用。 电晶体可以以类似开关的方式来使用。双极性电晶体（BJT）的饱和区及截止区可以视为是开关的开及关。。
变容二极管（英语：Varicap diode），又称变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管，是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用，例如调频发射机的频率调制和锁相环。
自英语Gate，因此也成为G极）。这个极被用来控制结型场效应管，它与n通道组成一个pn二极管，因此结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管类似，只不过在金属-氧化物-半导体场效应管中不是使用pn结，而是使用肖特基结（金属与半导体之间的结），在原理上结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管是完全一样的。。
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理是由佐治亚理工学院的王中林教授在2007年提出来的。 基于这个效应，已经制备了一系列的电子器件，包括压电电场栅控的场效应晶体管, 压电电场控制的二极管, 应变传感器, 力/流量传感器, 混合 场效应晶体管, 压电 逻辑门电路, 机电 存储器, 等等. 压电电子器件被认为是一个新的半导体器件种类。。
些参数被认为是缺陷“指纹”，用於对其进行识別和分析。 DLTS研究了简单电子设备的空间电荷（耗尽）区域中存在的缺陷。最常用的是肖特基二极管或PN接面。在测量过程中，稳態二极管的反向极化电压会受到电压脉冲的干扰。该电压脉冲减小了空间电荷区域中的电场並允许自由载流子半导体块中的杂质从该区域渗透並对该缺陷。
Rectifier） 肖特基二极体（Schottky Diode） 齐纳二极体（Zener Diode） 发光二极体（Light Emitting Diode、LED） 雷射二极体（LASER Diode） 光电二极体（Photodiode） 太阳能电池（Solar cell） 雪崩光电二极管（Avalanche。
肖特基势垒（英语：Schottky barrier），是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒（障壁）相较於PN接面最大的区别在於具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)耗尽层宽度。 並非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属。
基于氮化镓的MOSFET和MESFET晶体管也具有高功率低损耗的优势，特别适合在汽车和电动汽车中应用。自2008年起，这两种晶体管已可以在硅基板上制成。高电压（800V）肖特基二极管（SBD）也已经研制成功。 集成的氮化镓电源集成电路具有更高的效率和高功率密度，可以减少包括移动和笔记本电脑充电器、消费电子、计算设备和电动汽车。
克勒默的研究领域在当时都不是热门的，但却在几年后显现出其重要性。他在1950年代中期指出使用半导体异质结构能够大大提高各种半导体元件的性能，并提出了可以实现吉赫（GHz）级频率的异质结二极管的概念。1963年又提出了双异质结构激光的概念，这是半导体激光的基础和核心技术。这两个概念远远超出了当时的研究水平，直至1980年代取向附生技术发。
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半导体激光器是电驱动的二极管。施加电流产生的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用的光增益。在晶体的解理面端点处的反射形成光学谐振腔，通常是利用两种不同的材料来形成共振腔，尽管有些设计是把共振腔放在半导体晶体的外面。 商业激光二极管的发射波长是从375nm到3500nm。低到中等功率激光二极管。
开放晶格的金属更小，对于原子紧密堆积的金属更大。范围大概是1.5–6 eV。某种程度上稠密晶面比开放晶格金属更高。 在电子学里功函数对设计肖特基二极管或发光二极管中金属-半导体结以及真空管非常重要. 很多基于不同物理效应的技术被发展出来来测量样品的电学功函数。可以区分出两类功函数测量的试验方法：绝对测量和相对测量。。
junction）或是pn结。接面可能是整流器，也可能没有整流功能。没有整流功能的接面称为欧姆接触。有整流接面的电子元件包括有pn二极体（英语：p–n diode）、肖特基二极管或是双极性晶体管。 破裂接合（英语：Break junction） 耗尽层（depletion region），也称为接面层（junction region）。
二极管的老式音频设备有回潮的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管。
值最大可以到200V。现行技术也可以制造出反向偏压更高的肖特基二极管，但是其导通电压也会升高到和普通二极管相同的水平，因此除非是需要高切换速度的场合，这种二极管在应用中没有优势。 碳化硅肖特基二极管是一种新型的肖特基二极管，与传统的硅质二极管相比，其反向漏电流更低、反向耐压更高，但导通电压也更高（25°C时的导通电压为1。
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法是將標准的二极体改为电压降非常低（约0.3V）的肖特基二极管。不过就算是肖特基二极管，在大电流及小电压时，其功率损失仍然会比主动整流要大。 若处理很低电压的转换器，例如电脑中央处理器的降压变换器（输出电压约为1伏特，输出电流为数安培）。肖特基二极管所产生的损失太大，因此无法达到所需的效率。在这类的应用里，需要用到主动整流技术。。
junction）。pn接面是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 1948年，威廉·肖克利的论文《半导体中的pn接面和pn接面型晶体管的理论》发表於贝尔实验室內部刊物。肖克利在1950年出版的《半导体中的电子和空穴》中详尽地討论瞭接面型晶体管的原理，与约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿共同发明的点接触型晶体管所採用的不同的理论。。
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肖克利半导体实验室。在这之前的时期，尚未成型的半导体工业主要集中在美国东部的波士顿和纽约长岛地区。为了公司的发展，他特意从东部召来八位年轻人，这其中就有诺宜斯、摩尔。 在那他打算设计一种能够替代晶体管的元器件（现在熟知的肖克利二极管。
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